Calcul de la résistivité des semi-conducteurs irradiés

Hezabra, Adel (2005) Calcul de la résistivité des semi-conducteurs irradiés. Masters thesis, Faculté des sciences et de la technologie université Mohamed Khider-Biskra.

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Abstract

Un composant à semi-conducteur soumis à des radiations (dans l'espace ou une station nucléaire par exemple) peut devenir défectueux. Ces défauts ont des effets indésirables qui peuvent dégrader les performances. Parmi ces effets l’augmentation de sa résistivité qui peut atteindre sa valeur maximale. La prédiction de ces effets est donc très utile. Le composant utilisé est une simple diode. Pour une diode à une région active de type n on a trouvé que : La résistivité augmente avec l’augmentation de la densité du piége accepteur pour atteindre une valeur maximale proche de la résistivité maximale de silicium. Ce point correspond à un changement de signe pour le coefficient de Hall. Puis il commence a diminué avec les densités plus élevées. La résistivité diminuer avec l'augmentation de la densité du piége donneur. La région active de la diode irradiée, initialement de type n, deviendra essentiellement intrinsèque ou de type p. Ceci est du à la compensation des donneurs superficiels par les pièges profonds accepteurs. La résistivité est inversement proportionnelle à la température et le coefficient de Hall est pratiquement constant pour les températures plus que 300 K.

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