Investigation de la concentration de gaz d’électrons à deux dimensions 2DEG dans les Hétérostructures n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs dopé sélectivement

Becer, zoubir (2006) Investigation de la concentration de gaz d’électrons à deux dimensions 2DEG dans les Hétérostructures n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs dopé sélectivement. Masters thesis, Université Mohamed Khider - Biskra.

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Abstract

Ces dernières années, les tailles des nanostructures de semi-conducteurs sont devenues si petites que nous devons tenir compte des effets quantique. Le gaz d'électron bidimensionnel dans l’hétérostructure AlGaAs/InGaAs/GaAs pour une variété de différentes configurations est étudié. La méthode de volume fini de pour déterminer l'énergie potentielle, la densité d'électron basée sur des calculs auto-cohérents des équations de Schrödinger et de Poisson est décrites en cette structure

Item Type: Thesis (Masters)
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie > Département des Sciences de la Matière
Depositing User: Admin01 TMLBiskra
Date Deposited: 08 Nov 2016 07:55
Last Modified: 08 Nov 2016 07:55
URI: http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/2722

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