KHADIR, Abdelkader (2019) Conception d’un transistor bipolaire à base de Si/SiGe par SILVACO. Doctoral thesis, Université Mohamed Khider – Biskra.
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Abstract
Ce travail présente une simulation numérique des effets des largeurs d'émetteur et du collecteur sur les performances d'un transistor bipolaire basé sur une hétérojonction entre le silicium et le silicium-germanium (Si / SiGe HBT). Premièrement, les caractéristiques de courant continu et de transfert courant-tension ont été évaluées. Deuxièmement, les facteurs de mérite HBT telles que le gain de courant
| Item Type: | Thesis (Doctoral) |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | SiGe TBH, gain de courant, fréquence de coupure, fréquence d’oscillation maximale, SILVACO. |
| Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculté des Sciences et de la technologie > Département de Génie Electrique |
| Depositing User: | Mr. Mourad Kebiel |
| Date Deposited: | 21 Apr 2019 08:42 |
| Last Modified: | 21 Apr 2019 08:42 |
| URI: | http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/4141 |
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