Elaboration des couches minces à base de ZnO pour transistors couches minces TFTs

Amri, Abdelhek (2024) Elaboration des couches minces à base de ZnO pour transistors couches minces TFTs. Doctoral thesis, Université Mohamed Khider (Biskra - Algérie).

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Abstract

Dans ce travail, nous avons élaboré et caractérisé des couches minces à base de ZnO. Le dépôt a été réalisé sur des substrats en verre par la méthode sol gel dip-coating. L'effet de la température de séchage, de l'épaisseur des couches, de la méthode de recuit et de la concentration de dopage sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques des couches minces de ZnO a été étudié. Les analyses ont révélé que les films ont une structure polycristalline de format wurtzite hexagonal, et que les échantillons séchés à des températures élevées et les échantillons plus épais et recuits dans des conditions de choc thermique présentent une meilleure qualité, une meilleure cristallisation et des caractéristiques supérieures. Le dopage à l'aluminium améliore les propriétés des couches minces de ZnO. Nous avons simulé un transistor à couches minces (TFT), en nous basant sur les propriétés de ces couches de ZnO. Nous avons étudié l'effet des paramètres du ZnO (l'épaisseur, la longueur et la mobilité des électrons des couches ZnO), ainsi que l'effet des diélectriques de grille sur les performances et la fiabilité des TFT ZnO. D'après les résultats de la simulation, il a été montré que la mobilité des électrons et le changement de longueur du canal ne sont pas des facteurs critiques dans les performances des TFTs - ZnO. Concernant l’effet de l’isolant de grille, les résultats montrent qu'un TFT à double diélectrique de grille présente de meilleures caractéristiques électriques par rapport à un TFT à simple diélectrique de grille.

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