Modélisation Quantique d’un Transistor à Effet de Champ Hétéro-Jonction à Base SiGe par la Méthode des Volumes Finis

LAZNEK, Samira (2005) Modélisation Quantique d’un Transistor à Effet de Champ Hétéro-Jonction à Base SiGe par la Méthode des Volumes Finis. Masters thesis, Université Mohamed Khider - Biskra.

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Item Type: Thesis (Masters)
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie > Département des Sciences de la Matière
Depositing User: Admin02 TMLBiskra
Date Deposited: 08 Nov 2014 13:08
Last Modified: 08 Nov 2014 13:08
URI: http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/665

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