Acquisition du signal transitoire dû à la réponse des dispositifs à semi-conducteurs à une tension alternative

LAKHDARI, Issam (2015) Acquisition du signal transitoire dû à la réponse des dispositifs à semi-conducteurs à une tension alternative. Masters thesis, Université Mohamed Khider - Biskra.

[img]
Preview
Text
Elect_m2_2015.pdf

Download (6MB) | Preview

Abstract

Dans le bute de déterminé les défauts des composants a semi-conducteur, la méthode DLTS est la plus utilisable pour cette phénomène, ce dernier repose sur l’acquisition des signaux transitoire. Noua avons réalisé expérimentalement un banc d’acquisition de capacité transitoire mesuré après une excitation électrique et une excitation optique depuis une source d’impulsion laser, avec une Longueur d’onde 337 nm. Avec un changement de température commandé avec le cryostat, les réponses (capacité transitoire) acquérir a l’ordinateur, et enregistré ces donnée sous forme d’un document (*.txt) ou (*.cvs) pour utiliser ultérieurement

Item Type: Thesis (Masters)
Uncontrolled Keywords: Acquisition, régime transitoire, semi-conducteur, caractérisation des semi-conducteurs, durée de Vie, DLTS
Subjects: T Technology > T Technology (General)
Divisions: Faculté des Sciences et de la technologie > Département de Génie Electrique
Depositing User: Admin01 TMLBiskra
Date Deposited: 22 Oct 2015 09:12
Last Modified: 22 Oct 2015 09:12
URI: http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/1471

Actions (login required)

View Item View Item