LAKHDARI, Issam (2014) Acquisition du signal transitoire dû à la réponse des dispositifs à semi-conducteurs à une tension alternative. Masters thesis, Université Mohamed Khider - Biskra.
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Abstract
Dans le bute de déterminé les défauts des composants a semi-conducteur, la méthode DLTS est la plus utilisable pour cette phénomène, ce dernier repose sur l’acquisition des signaux transitoire. Noua avons réalisé expérimentalement un banc d’acquisition de capacité transitoire mesuré après une excitation électrique et une excitation optique depuis une source d’impulsion laser, avec une Longueur d’onde 337 nm. Avec un changement de température commandé avec le cryostat, les réponses (capacité transitoire) acquérir a l’ordinateur, et enregistré ces donnée sous forme d’un document (*.txt) ou (*.cvs) pour utiliser ultérieurement
| Item Type: | Thesis (Masters) |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | Acquisition, régime transitoire, semi-conducteur, caractérisation des semi-conducteurs, durée de Vie, DLTS |
| Subjects: | T Technology > T Technology (General) |
| Divisions: | Faculté des Sciences et de la technologie > Département de Génie Electrique |
| Depositing User: | Bouthaina Assami |
| Date Deposited: | 22 Oct 2015 09:12 |
| Last Modified: | 21 Dec 2017 08:25 |
| URI: | http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/1471 |
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